GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM

PSYCH OpenIR > 中国科学院心理研究所回溯数据库(1956-2010)

	GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM
	QIN, FG; WANG, XM; YANG, GR; LIN, LY
	1984
语种	英语
发表期刊	CHINESE PHYSICS
ISSN	0273-429X
卷号	4 期号:4 页码:976-980
期刊论文类型	Article
收录类别	SCI
WOS标题词	Science & Technology ; Physical Sciences
WOS研究方向	Physics
WOS类目	Physics, Multidisciplinary
WOS记录号	WOS:A1984AFK8000038
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.psych.ac.cn/handle/311026/25995
专题	中国科学院心理研究所回溯数据库(1956-2010)
推荐引用方式 GB/T 7714	QIN, FG,WANG, XM,YANG, GR,et al. GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM[J]. CHINESE PHYSICS,1984,4(4):976-980.
APA	QIN, FG,WANG, XM,YANG, GR,&LIN, LY.(1984).GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM.CHINESE PHYSICS,4(4),976-980.
MLA	QIN, FG,et al."GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM".CHINESE PHYSICS 4.4(1984):976-980.