GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM
QIN, FG; WANG, XM; YANG, GR; LIN, LY
1984
发表期刊CHINESE PHYSICS
ISSN0273-429X
文章类型Article
卷号4期号:4页码:976-980
收录类别SCI
语种英语
WOS研究方向Physics
WOS类目Physics, Multidisciplinary
WOS记录号WOS:A1984AFK8000038
WOS标题词Science & Technology ; Physical Sciences
引用统计
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.psych.ac.cn/handle/311026/25995
专题中国科学院心理研究所回溯数据库(1956-2010)
推荐引用方式
GB/T 7714
QIN, FG,WANG, XM,YANG, GR,et al. GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM[J]. CHINESE PHYSICS,1984,4(4):976-980.
APA QIN, FG,WANG, XM,YANG, GR,&LIN, LY.(1984).GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM.CHINESE PHYSICS,4(4),976-980.
MLA QIN, FG,et al."GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM".CHINESE PHYSICS 4.4(1984):976-980.
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